搜索职位:
- 职位描述
- 工作职责:
1. 负责Si基GaN HEMT电力电子器件新产品相关设计方案的可行性分析及具体实施；
2. 负责Si基GaN HEMT电力电子新产品、新工艺流程、新测试方案等相关内容的拟制；
3. 负责Si基GaN HEMT产品新工艺的研发、Short Loop 流片，以提高工艺先进性和稳定性，针对新工艺所遇到的问题，提供解决方案；
4. 负责Si基GaN HEMT电力电子器件的版图设计；
5. 负责发现并解决Si基GaN HEMT产品的各种可靠性问题，包括：器件结构、流片工艺、电路应用等方面带来的问题。
6. 负责Si基GaN HEMT电力电子产品的关键材料理论与技术研究；
7. 为新产品批量生产建立必要的系统程序；进行新产品批量生产中工艺异常分析、追查与改进。
任职资格:
1. 硕士及以上学历，材料、物理、微电子、半导体、集成电路等相关专业；3-4年GaN功率器件研发经验；
2. 熟悉化合物半导体材料、器件工艺相关的设备、制造制备工艺原理及工艺流程，可独立完成工艺调试；
3. 有GaN HEMT器件研发经验者优先；具有半导体fab工艺相关工作经验;
4. 了解HSF管理过程，知晓本公司与HSF过程有关的HS；
5. 具有较强的分析问题和解决问题的能力; 具有良好的沟通和语言表达能力，能独立开展新工艺研发和验证工作；
6. 具有良好的团队合作精神，能在快节奏的环境中工作；英语听说读写流利。
7. 具有较强的学习与动手能力，责任心强，做事认真仔细，对电力电子器件研发有浓厚的兴趣。
- 企业介绍
- 工作地址
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上海
投递简历
400
